AOD4189详细参数说明 - 极性 P沟道- 额定电压 -40V- 额定电流 -65A- 导通电阻 10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V-
2023-11-01 09:53 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 AOD425A丝印 VBE2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 40A 导通电阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:AOD405-VB丝印:VBE2338品牌:VBsemi参数:- P沟道- 额定电压:-30V- 最大漏电流:-26A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):33mΩ @ 10V, 46m
2023-12-19 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:AOD417-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi详细参数说明:- 极性:P沟道- 最大耐压:-30V- 最大电流:-40A- 导通电阻:18mΩ(在10V电压下),25mΩ(在4.5V
2023-12-13 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
AOD407 (VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用简介
2023-12-06 13:39 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: AOD425-VB丝印: VBE2317品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: P沟道- 额定电压: -30V- 最大电流: -40A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 18m
2023-12-14 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号