:** Trench(沟槽型)30P10GS-VB 是一款单P沟道 MOSFET,适用于负电压高功率应用。其具有负电压漏源电压和低导通电阻特性,适合用于各种功率电子系统中。
2024-11-04 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP30P10GI-VB 产品简介AP30P10GI-VB 是一款单P沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装。它具有高电压承受能力和低导通电阻,适合在需要控制负电压的电路中使
2024-12-17 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP30P10GS-VB 产品概述AP30P10GS-VB 是一款高性能单通道 P-Channel MOSFET,适用于要求高功率和高效率的应用场合。其采用 TO263 封装,具有优异
2024-12-17 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AM90P10-30P-VB是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术,封装形式为TO220。具有负漏源极电压承受能力和低导通电阻特性,适用于需要高性能电源管理和开关控制
2024-12-03 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP30P10GP-HF-VB是一款单P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),采用TO220封装。该型号晶体管具有高压耐受能力和低导通电阻,适合于需要
2024-12-17 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号