合。### 二、详细参数说明- **型号:** AM90P06-20P-VB- **封装:** TO220- **配置:** 单P沟道- **VDS(漏源电压):**
2024-12-03 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号
的导热性能和电流承载能力。### 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **配置**:单P沟道- **漏源电压 (VDS)**:-60V- **栅源电压
2024-11-28 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
高效能量转换和电流控制的应用。### 20P02J-VB 详细参数说明- **封装**: TO251- **配置**: 单 P-沟道- **VDS**: -30V-
2024-07-09 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号
开关和功率管理应用。### 20P02GH-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO252- **配置**: 单 P 沟道- **漏源极电压 (VDS)**:
2024-07-09 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
,具有良好的导通特性和稳定的性能。### 二、7P20G-TN3-R-VB型号的详细参数说明- **封装类型**:TO252- **配置**:单P沟道- **漏源
2024-11-21 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20P02GJ-VB TO251 MOSFET 产品简介#### 一、产品简介VBsemi的20P02GJ-VB TO251是一款单P-沟道MOSFET,采用了Trench技术。该器件具有低
2024-07-09 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号