型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻(RDS(ON)) 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20P02GH-VB 产品简介20P02GH-VB 是一款高性能的单 P 沟道 MOSFET,设计用于负载开关和功率管理应用。采用了沟槽技术,具有低导通电阻和高漏极电流能力,适用于各种负载
2024-07-09 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20P02J-VB 产品简介20P02J-VB 是一款单 P-沟道 MOSFET,采用 Trench 技术,封装形式为 TO251。具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力,适用于需要
2024-07-09 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AM90P06-20P-VB 是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用TO220封装,具备优秀的电气特性和稳定性。该器件适用于需要负向电压和高电流处理能力的电子应用场
2024-12-03 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号