合。### 二、详细参数说明- **型号:** AM90P06-20P-VB- **封装:** TO220- **配置:** 单P沟道- **VDS(漏源电压):**
2024-12-03 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi MOSFET UTT20P04G-TN3-R-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式示例:1. **产品简介**:VBsemi
2024-06-25 17:28 微碧半导体VBsemi 企业号
功率损耗的电子应用。采用先进的Trench技术制造,提供稳定的性能和可靠的操作。### 详细参数说明- **型号**: AP20P02J-VB- **封装**:
2024-12-17 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AM40N20-180P-VB**AM40N20-180P-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。该器件封装为 TO220,具有高电压耐受能力
2024-11-29 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号
的导热性能和电流承载能力。### 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **配置**:单P沟道- **漏源电压 (VDS)**:-60V- **栅源电压
2024-11-28 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
,具备低导通电阻和高电流处理能力,适合于高性能电源管理和功率控制应用。### AP20N03P-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO220-
2024-12-17 11:05 微碧半导体VBsemi 企业号
,适用于需要高效能量转换和电流控制的应用场合。### 详细参数说明- **型号**: AM40P03-20D-VB- **封装类型**: TO252- **配置**:
2024-11-29 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
便捷的安装和散热。### 详细参数说明- **通道类型:** P—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** -40V- **最大漏极
2024-06-14 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号