日置HIOKI 3522-50 LCR测试仪基本参数测量参数 │Z│,│Y│,θ,Rp,Rs(ESR),G,X,B,Cp,Cs,Lp,Ls,D(tanδ)和Q测量方法 测量源：恒流10
2023-04-27 16:10 深圳市承恒电子仪器有限公司 企业号
参数表节选：的技术参数 IQC21-50F-T10产品阐述 数据载体通用规格工作频率13.56 MHz传输速率26 kBit/s内存芯片类型I-CODE SLI (NXP
2022-11-14 13:51 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### 一、21NK50Z-VB 产品简介21NK50Z-VB 是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO263，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高压（650V）和高电流（20A）处理能力
2024-07-09 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 21N50C3-VB TO247 产品简介21N50C3-VB TO247 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于要求高电压和高电流的应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术
2024-07-09 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
ZHL-10M4G21W0+是一款高性能的射频功率放大器，专为广泛的无线通信和信号放大应用设计。该放大器具有优异的增益和线性度，覆盖频率范围从10 MHz到4 GHz，适合各种高频信号处理需求。其
2024-10-15 10:03 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
直流电流量程600.0 A/2000 A, 基本精度: ±1.3% rdg. ±0.3 A (量程600A)交流电流量程600.0 A/2000 A (10 Hz〜1 kHz, 真有效值整流
2024-09-05 09:57 深圳市日图科技有限公司 企业号
### 21N10-VB TO220 产品简介21N10-VB TO220 是一款单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术制造，具有高性能和可靠性。封装为TO220，适用于各种应用场合，如电源开关、电机
2024-07-09 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号
日置3555 电池内阻仪 HIOKI 3555 电池测试仪品牌 日本日置 型号 3555测量范围 300mΩ～30Ω 测量精度 0.1%电源电压 9（V） 尺寸 196宽 × 130高 × 50厚
2024-10-24 16:23 深圳市国盛自动化有限公司 企业号
时提供 -120 dBc/Hz 相位噪声2019 年 5 月 8 日：CRYSTEK CORPORATION 发布了 CVCO55CC-2450-2450，这是一种
2022-11-15 20:08 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
