型号:IPD50P04P4-13-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数说明:- 极性:P沟道- 额定电压:-40V- 最大连续漏极电流:-65A- 静态漏极-源极电阻(RDS
2023-12-14 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:SUD50P04-13L-GE3-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数:- P沟道- 最大耐压:-40V- 最大电流:-65A- 开通态电阻:10mΩ @ 10V, 13
2023-12-18 11:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 13N50H-VB TO220 产品简介**产品概述**:13N50H-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,适用于高压范围内的功率控制应用。其封装
2024-07-06 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
。MGV075-13 的更多详细信息见下文。 产品规格产品详情零件号MGV075-13制造商马康描述0.9 pF、22 V、GaAs 超突变变容二极管一般参数电容比
2023-04-03 14:00 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
Marki Microwave 的 C13-0150 是一种定向耦合器,频率 1 至 50 GHz,耦合 13 dB,方向性 9 至 16 dB
2023-05-11 17:26 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 产品简介:VBsemi的MOSFET产品13N50W-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,具有600V的漏极-源极电压(VDS)和11A的漏极电流(ID)能力
2024-07-06 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号