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型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P70K</b> 品牌：

特点NCE40P70K采用先进的沟槽技术设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS（ON）。这个该器件非常适合高电流负载应用。 描述●VDS=-40V，ID=-70ARDS（ON）

2025-02-20 10:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P40K</b>-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-09 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>60P25K</b>-VB 品牌：微碧

型号： NCE60P25K-VB丝印： VBE2658品牌：VBsemi参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-22A- 导通电阻：48mΩ@10V, 57m

2023-12-13 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>40P40K</b>-VB 品牌：微碧

型号  NCE40P40K-VB丝印  VBE2412品牌  VBsemi详细参数说明   P沟道 额定电压  

2023-11-20 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>60P25K</b>-VB 品牌：微碧

型号   NCE60P25K-VB丝印   VBE2658品牌  VBsemi参数说明   沟道类型  P沟道 额定电压

2023-11-09 11:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE30<b class='flag-s-7'>P30K</b> 品牌：

新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，

2023-11-03 20:38 民信微电子 企业号

型号：HM<b class='flag-s-7'>40P04K</b>-VB 品牌：微碧

**型号：** HM40P04K-VB**品牌：** VBsemi**丝印：** VBE2412**封装：** TO252**产品简介：**HM40P04K-VB是一款P沟道场效应管，适用于负载开关

2024-06-01 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：X<b class='flag-s-7'>4C60K</b>1-20S 品牌：

 TTM Technologies 的 X4C60K1-20S 是一款定向耦合器，频率为 4.4 至 6.5 GHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1 dB，频率灵敏度 ±0.15 至

2023-08-16 10:28 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：M393A<b class='flag-s-7'>4K40</b>EB3-CWE 品牌：

Samsung M393A4K40EB3-CWE 产品概述M393A4K40EB3-CWE 是三星（Samsung）生产的一款高性能 DDR4 SDRAM 内存模块，专为满足现代计算机系统的高速数据

2024-11-11 15:15 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：AP50<b class='flag-s-7'>P03K</b> 品牌：

供应AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50

2023-08-22 17:30 深圳市骊微电子科技 企业号