特点NCE40P70K采用先进的沟槽技术设计以提供具有低栅极电荷的优异RDS(ON)。这个该器件非常适合高电流负载应用。 描述●VDS=-40V,ID=-70ARDS(ON)
2025-02-20 10:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 一、40P03GP-VB TO220 产品简介40P03GP-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压(VDS),并具有 ±20V
2024-11-08 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
**型号:** HM40P04K-VB**品牌:** VBsemi**丝印:** VBE2412**封装:** TO252**产品简介:**HM40P04K-VB是一款P沟道场效应管,适用于负载开关
2024-06-01 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详述:AM40P10-200P-VB**型号:** AM40P10-200P-VB **封装:** TO220 **结构:** 单P沟道 **漏极
2024-11-29 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
Banana Pi BPI-P2 pro(Armsom pro)是一款基于瑞芯瑞(Rockchip) RK3308B-S芯片的开发板。采用高性能4核ARM Cortex-A35处理器,512M
2023-11-30 15:52 Banana Pi开源硬件 企业号
### 40P03-VB TO220 MOSFET 产品简介40P03-VB 是一款高性能的单 P 沟道场效应管,采用 TO220 封装,适用于各种电子应用中的高效能管理。具有优秀的热性能和可靠性
2024-11-08 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号