### AM40N10-30D-VB 产品简介AM40N10-30D-VB是一款高性能的单N-沟道MOSFET,采用TO252封装,适合大功率和高电压应用。采用先进的沟槽(Trench)技术设计
2024-11-29 16:17 微碧半导体VBsemi 企业号
高功率开关和电源管理的应用。### 二、AP30N30W-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO3P- **配置**:单 N 通道- **漏源电压 (VDS
2024-12-17 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
,是电源管理和功率控制领域的理想选择。### 2. 参数说明:- **型号:** AM40N04-30D-T1-PF-VB- **封装:** TO252- **配置
2024-11-29 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AM40N08-30D-T1-PF-VB**AM40N08-30D-T1-PF-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,具有优秀的导通特性和低导通电
2024-11-29 16:07 微碧半导体VBsemi 企业号
参数说明- **型号**: 30N30W-VB- **封装**: TO3P- **配置**: 单 N 型通道- **漏源电压 (VDS)**: 250V- **栅源
2024-11-04 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
参数表节选:的技术参数 NBN15-30GM40-Z0-V1通用规格开关功能常开 (NO)输出类型双线式额定工作距离15 mm安装非齐平输出极性DC确保操作距离0 ... 12,15
2022-11-10 13:17 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
参数表节选:的技术参数 NCB10-30GM40-N0通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR额定工作距离10 mm安装齐平确保操作距离0 ... 8,1 mm实际工作距离9
2022-09-07 13:35 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
极电流,适用于要求高性能和高电压的电源管理和开关控制应用。### 详细参数说明- **封装类型**: TO-263- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (
2024-11-04 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
理的应用。### AP40T03GS-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO263- **配置**:单N沟道- **击穿电压 (VDS)**:
2024-12-18 16:26 微碧半导体VBsemi 企业号