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型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>64N-VB 品牌：微碧

### 7NM64N-VB TO252 MOSFET 产品简介7NM64N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于中高压应用场合。其封装

2024-11-21 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>14NM</b>65N-VB TO247 品牌：微碧

### 14NM65N-VB TO247 产品简介14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS

2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号： 36-12-141-<b class='flag-s-7'>7NM</b>是一款高频RF电缆组件 品牌：

36-12-141-7NM是一款高频RF电缆组件，专为要求高性能的应用而设计，确保信号的稳定传输。技术资料频率范围：DC至7 GHz插入损耗：低于0.4 dB回波损耗：大于19

2024-10-17 10:39 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：1550<b class='flag-s-7'>nm</b>-SOA-chip 品牌：

 1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的

2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO252 品牌：微碧

### 7NM60N-VB MOSFET 产品简介7NM60N-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于需要高电压和低功耗的电子设备应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和优异

2024-11-21 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、7NM60N-VB 产品简介7NM60N-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。它设计用于高压应用环境，具有稳定的电气特性和可靠性

2024-11-21 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>7NM</b>60N-VB TO251 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi 7NM60N-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO251封装，适用于高压和高性能的电源管理和开关电路应用。具有650V的最大漏源电压和低导通电阻特性，适合

2024-11-21 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：FL086-6<b class='flag-s-7'>NM</b>+ 是一种高<b class='flag-s-7'>性能</b>同轴电缆 品牌：

FL086-6NM+ 同轴电缆简介FL086-6NM+ 是一种高性能同轴电缆，广泛应用于通信、测试设备及其他电子系统中。其优越的性能使其成为许多行业的理想选择，特别是在

2024-08-25 02:07 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：36-12-141-12<b class='flag-s-7'>NM</b>是一款高<b class='flag-s-7'>性能</b>的射频电缆组件 品牌：

如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通）  Mini-Circuits 36-12-141-12NM产品概述36-12-141-12NM

2024-10-17 10:37 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>14NM</b>50N-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介：VBsemi的MOSFET产品14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有500V的漏极-源极电压（VDS）和14A的漏极电流（ID

2024-07-06 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号