类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA N沟道,500V,
2022-09-19 14:29 深圳市亚洲洋电子有限公司 企业号
;- N+P—Channel沟道 - 工作电压:±40V - 电流:8A (正向) / -7A (反向) - RDS(ON):15mΩ @
2024-03-11 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
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2022-05-16 11:58 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
### 产品简介**8205A-VB** 是一款多功能的 MOSFET,具有 TSSOP8 封装,由 VBsemi 提供。它采用了共漏 N+N 型通道配置,适合于低压、中功率的电子应用。### 详细
2024-11-21 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号