当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶硅栅与栅氧化层之间产生一个额外的串联电容。当栅氧化层厚度减小到
2024-08-02 09:14
在现代电子技术中，MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种关键且广泛使用的电子器件。耗尽
2024-05-12 17:19
特性和控制方式，可以将其分为增强型和耗尽型两大类。这两种类型的MOS管在结构、工作原理、性能特点以及应用场景等方面都存在显著的差异。本文将对增强型和耗尽型MOS管进行详细的比较和分析，以便更好地理解和应用这两种器件。
2024-05-12 17:13
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00
对于您的SSD或便携式系统，请通过让您的超级电容器完全耗尽电能而使其得到充分利用。一种微型低成本升压转换器可从相同尺寸的超级电容器中汲取30％以上的电能。您还想让哪些其它系统耗尽所有电能呢？
2022-02-06 09:41
在上述电路中，无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET，即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足：Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E在一定电流下的阈值电压)。
2023-11-08 11:28
SoC芯片是一种集成电路的芯片，可以有效地降低电子/信息系统产品的开发成本，缩短开发周期，提高产品的竞争力，是未来工业界将采用的最主要的产品开发方式。而海思麒麟芯片仅用在华为
2017-12-13 16:55
华为的麒麟 970 芯片，工艺制程是 10nm，这在当下的手机芯片中，是非常先进的制程。我们手机里的芯片，其制程工艺可以说是决定了
2019-02-01 01:46
华为AI芯片到底有多强？
2019-08-26 09:34
当电路工作时，电阻R两端的电压会随着流过的电流的增加而升高，但是由于耗尽型MOSFET的亚阈值特性，其最大电压值不会超过对应电流下的阈值电压，即V R_MAX =|V TH |。因此在该条件下，上述应用可以作为恒流源给IC供电。
2023-11-07 14:39
