提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构， 并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析， 特别是基准电路和偏
2011-10-27 10:53
作为一台服务器来说，内存并不是无限的，所以总会存在内存耗尽的情况，那么当 Redis 服务器的内存耗尽后，如果继续执行请求命令，Redis 会如何处理呢？
2023-03-08 09:26
今年10月，华为发布的两款AI芯片：昇腾910和昇腾310是华为AI的核心武器，用来武装企业端——华为云EI；而今日华为
2018-12-25 10:04
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18
什么是耗尽型MOS晶体管 据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟
2010-03-05 15:35
当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶硅栅与栅氧化层之间产生一个额外的串联电容。当栅氧化层厚度减小到
2024-08-02 09:14
耗尽型 MOSFET 类似于开路开关。在此模式下，施加栅极到源极电压 （VGS） 以关闭器件。当栅极电压为负时，正电荷会在通道中累积。这会导致沟道中的耗尽区并阻止电流流动。因此，由于电流的流动受耗尽区形成的影响，所以
2023-02-19 17:44
本文以华为麒麟处理器为中心，主要介绍了华为麒麟芯片成绩、华为麒麟处理器排
2017-12-27 16:05
华为技术有限公司12月22日新增一个名为“数据处理方法、光传输设备及数字处理芯片”的专利，该专利申请号为2019105341927，申请公布号为CN112118073A
2020-12-30 10:15
1月8日消息，企查查APP显示，近日，华为技术有限公司新增多条商标申请信息，其中包含了“灵犀芯片”、“灵犀处理器”，国际分类涉及科学仪器，商标状态均为“注册申请中”。目前，我们并没有关于灵犀
2021-01-08 14:36
