提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构， 并对芯片关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析， 特别是基准电路和偏
2011-10-27 10:53
华为的芯片那个好用
2017-03-09 02:14
华为最新芯片麒麟990手机，9月6日，华为消费者业务CEO余承东在2019德国柏林消费电子展（IFA）上发表“Rethink Evolution”主题演讲，面向全球推出华为
2021-07-28 07:19
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18
SMPS的输入电压工作范围有限。或者，可以采用基于耗尽模式MOSFET的方法，如图4所示。耗尽型 MOSFET 提供 PWM IC 启动操作所需的初始电流。在启动阶段之后，辅助绕组将为PWM IC产生
2023-02-21 15:46
什么是耗尽型MOS晶体管 据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟
2010-03-05 15:35
耗尽层就是在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域,又称空间电荷区.在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离
2017-04-13 10:09
当栅与衬底之间存在压差时，它们之间存在电场，静电边界条件使多晶硅靠近氧化层界面附近的能带发生弯曲，并且电荷耗尽，从而形成多晶硅栅耗尽区。该耗尽区会在多晶硅栅与栅氧化层之间产生一个额外的串联电容。当栅氧化层厚度减小到
2024-08-02 09:14
耗尽型 MOSFET 类似于开路开关。在此模式下，施加栅极到源极电压 （VGS） 以关闭器件。当栅极电压为负时，正电荷会在通道中累积。这会导致沟道中的耗尽区并阻止电流流动。因此，由于电流的流动受耗尽区形成的影响，所以
2023-02-19 17:44
