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型号：<b class='flag-s-7'>40P03GP</b>-VB 品牌：微碧

### 一、40P03GP-VB TO220 产品简介40P03GP-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V

2024-11-08 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：三防<b class='flag-s-7'>手机</b>终端 <b class='flag-s-7'>5</b>G POC公网对讲 品牌：深圳市沃丰智能通讯有限公司

三防手机终端 5G POC公网对讲  Model:A8 5G(SOC）功能：1P68 MTK6833(天玑700) 3GB+128G8 4BMPTride Caman Andod11

2023-04-11 20:00 深圳市沃丰智能通讯有限公司 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40P03GP</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介AP40P03GP-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件设计用于负载开关和电源控制应用，具有负电源电压和低导通电阻特性。采用沟槽技术，能够在较低的栅极驱动

2024-12-18 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>40T10GP</b>-VB 品牌：微碧

### 一、40T10GP-VB TO220 产品简介40T10GP-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。具有 100V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V

2024-11-08 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>40T03GP</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**40T03GP-VB TO220** 是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力。该器件适用于各种中功率应用，具有

2024-11-08 11:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：ETP48200-C<b class='flag-s-7'>5</b>E1 品牌：

华为ETP48200-C5E1嵌入式直流电源系统，实现交流输入转换为稳定的48V直流输出，支持50A整流模块，最大输出功率200A。各功能单元采用标准化尺寸设计，支持热插拔，系统高度5U，支持标准

2023-02-14 10:12 北京鑫隆源科技有限公司 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40T03GP</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介AP40T03GP-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用Trench技术设计，适合高功率应用。其TO220封装形式提供了良好的散热能力和机械强度，适用于各种工业和电子设备中的功率

2024-12-18 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40T03GP</b>-HF-VB 品牌：微碧

### 一、AP40T03GP-HF-VB产品简介AP40T03GP-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于高功率和高电流应用。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS

2024-12-18 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>40N03GP</b>-VB 品牌：微碧

详细参数说明   型号   AP40N03GP-VB 丝印   VBM1310 品牌   VBsemi 参数

2023-11-17 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CGHV60075D<b class='flag-s-7'>5-GP</b>4 品牌：

和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV60075D5-GP4 特征4 GHz 时的典型功率附加效率为 65%6

2022-06-27 14:47 立年电子科技 企业号