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型号：4N<b class='flag-s-7'>03L03</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介**型号：4N03L03-VB**4N03L03-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它具有极低的导通电阻和高达120A的漏极电流承载能力，适用于需要高效能量转换

2024-11-12 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4N<b class='flag-s-7'>03L03</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 4N03L03-VB MOSFET 产品简介4N03L03-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO252。它具有低导通电阻和高

2024-11-12 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SGTP40V65<b class='flag-s-7'>FDR</b>1P7 品牌：

供应SGTP40V65FDR1P7 绝缘栅双极型晶体管耐压650V、40A，提供SGTP40V65FDR1P7关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>  

2022-08-01 16:29 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：三防<b class='flag-s-7'>平板</b> 品牌：

　　三防平板旨在应对恶劣的环境，包括防水、防尘和防坠落，因此可在矿场、建设工地和渔船等严苛环境中正常使用。此外，三防平板还适用于工业制造、户外活动和物流设备。　　三防平板可提供多种尺寸定制，包括 7

2023-12-21 19:55 深圳市智物通讯科技有限公司 企业号

型号：4N<b class='flag-s-7'>03L</b>06-VB 品牌：微碧

### 4N03L06-VB MOSFET产品简介4N03L06-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，由VBsemi公司生产。它具有低漏源电压和低导通电阻特性，适用于需要高电流和低

2024-11-12 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：25P<b class='flag-s-7'>03L</b>-VB 品牌：微碧

### 25P03L-VB 产品简介25P03L-VB 是一款单 P-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO252。具有较低的导通电阻和适中的漏极电流承载能力，适用于需要

2024-07-10 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：088N<b class='flag-s-7'>03L</b>-VB 品牌：微碧

**088N03L-VB****产品简介：**VBsemi 088N03L-VB 是一款高性能的 DFN8(3X3) 封装 N 沟道 MOSFET。其特点包括低导通电阻（RDS(ON)=19m

2024-07-03 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：068P<b class='flag-s-7'>03L</b>-VB 品牌：微碧

**产品简介：**VBsemi的068P03L-VB是一款单P沟道功率MOSFET，采用槽沟技术，适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点，适用于要求高效率和低功率损耗

2024-07-03 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2N<b class='flag-s-7'>03L03</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 产品简介**2N03L03-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO263封装。这款MOSFET具有30V的漏源电压（VDS）和20V（±）的栅源电压（VGS）。其

2024-07-11 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4N<b class='flag-s-7'>03L03</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 产品简介4N03L03-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装，使用 Trench 技术设计，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高性能功率管理和开关控制

2024-11-12 14:56 微碧半导体VBsemi 企业号