1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器(SOA)芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺
2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
1310nm SOA半导体光放大芯片COC见合八方1310nm波长的半导体光放大器(SOA)芯片系列专为高增益,高功率,低偏振和宽谱SOA模块而设计,符合GR-468-
2022-05-25 00:31 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
1310nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1310nm波长的半导体光放大器(SOA)芯片系列具有高增益,高功率,低偏振和宽谱等优点,符合GR-468-CO
2022-05-23 21:34 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 一、8NM60ND-VB 产品简介8NM60ND-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,适合高压功率开关和电源管理应用。它具有650V的漏源极电压承受能力和优良的导
2024-11-22 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号
见合八方1310nm波长的半导体光放大器(SOA)芯片系列专为低噪声、高灵敏度、低偏振和宽谱SOA模块而设计,符合GR-468-CORE标准。该COC全工艺国产,与国外主流常见产品兼容,并可满足客户
2023-08-28 15:37 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 产品简介**8NM60ND-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用TO251封装,适合高压应用场合。该器件具有良好的电压承载能力和中等的电流处理能力,适用于要求稳定性和可靠性的电力电子
2024-11-22 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 8NM50N-VB MOSFET 产品简介8NM50N-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,封装为 TO220。它具有高达500V 的漏源电压 (VDS
2024-11-22 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介8NM60ND-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,具有高耐压和稳定的性能特征,适合于多种高功率应用。### 详细参数
2024-11-22 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号