摘要 本文介绍了半导体晶片加工中为颗粒去除(清洗)工艺评估而制备的受污染测试晶片老化的实验研究。比较了两种晶片制备技术:一种是传统的湿法技术，其中裸露的硅晶片浸泡在充满颗粒的溶液中，然后干燥；另一种
2022-03-04 15:03
硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合物(SPM)用于各种湿法清洗工艺步骤。表2.1显示了SPM的一些常见清洁和表面处理顺序:
2022-07-11 17:26
在半导体制造过程中，SPM（Sulfuric Peroxide Mixture，硫酸过氧化氢混合液）清洗和HF（Hydrofluoric Acid，氢氟酸）清洗都是重要
2025-04-07 09:47
半导体清洗SC1是一种基于氨水（NH₄OH）、过氧化氢（H₂O₂）和去离子水（H₂O）的化学清洗工艺，主要用于去除硅片表面的有机物、颗粒污染物及部分金属杂质。以下是其技
2025-04-28 17:22
技术需要更严格地管理半导体芯片中使用的材料的变化、平坦度和缺陷的问题，尽管用于嵌入和平坦化的基本工艺保持不变。在此，从CMP装置的基本变迁，特别阐述CMP清洗的基本技术。
2022-03-21 13:39
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：下一代半导体清洗科技材料系统 编号：JFKJ-21-188 作者：炬丰科技 摘要 本文简要概述了面临的挑战晶圆
2023-04-23 11:03
单片SPM系统使用了大量的化学物质，同时满足28nm以下的清洁规格。 本文描述了在集成系统Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系统和单晶片清洗，结果达到了技术规范，使用了不到单晶片系统中使用的80%的
2022-04-01 14:22
