【作者】：秦希峰;季燕菊;王凤翔;付刚;赵优美;梁毅;【来源】：《济南大学学报(自然科学版)》2010年02期【摘要】：鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36
离子注入工艺资料~还不错哦~
2012-08-01 10:58
离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。这些撞离原子再与其它原子碰
2019-10-30 09:10
如题，寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50
请问各位大侠，离子注入时有遇到做V-CURVE时，出现倒着的抛物线吗？急，在线等，谢谢！
2018-08-05 19:29
半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种 新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收 能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸 的TVS
2016-09-28 16:21
◎◎○○○○○写入时间◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存储单元存储在触发器电路在电容器中保持电荷使铁电发生极化将离子注入晶体管在浮栅中保持电荷在浮栅中保持电荷在浮栅中保持电荷
2019-04-21 22:57
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11
介质层进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入，进而形成P-层及JFET层。然后将JEFT层的中间区域作为半导体器件结构的JFET区域，在JEFT区域两侧进行离子注入，形
2020-07-07 11:42
，加工周期短，速度快。 联系方式：姚经理、马经理，010-51293689；sales@firstchip.cn工艺能力：1、 热氧化硅2、 硼、磷扩散，推进3、 离子注入（硼、磷）4、 高低温退火5
2015-01-07 16:15
