宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。
2023-02-02 15:13
半导体则由氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁带宽度：功率半导体的禁
2024-07-31 09:07
宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多
2024-07-31 09:09
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，
2023-11-03 12:10
敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。 半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁
2013-01-28 14:58
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽
2017-07-11 14:06
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温
2021-10-11 14:35
