半导体材料具有一些与我们已知的导体、绝缘体完全不同的电学、化学和物理特性，正是由于这些特点，使得半导体器件和电路
2023-11-03 10:24
与第一代硅（Si）半导体材料和第二代砷化镓（GaAs）半导体材料相比，碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）的第三代半导体
2022-12-08 09:56
宽禁带半导体材料具有热导率高、击穿电场高等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件等方面具有广泛的应用前景
2011-04-19 09:23
半导体材料，具有以下特点： 高击穿电场强度：GaN具有高绝缘性能和高电子流动性，使其在高电压应用中具有较好的可靠性和稳定
2024-01-10 09:27
有机半导体材料是具有半导体性质的有机材料，1986年第一个聚噻吩场效应晶体管发明以来，有机场效应晶体管（OFET）飞速发
2025-04-09 15:51
由于第三代半导体材料具有非常显著的性能优势和巨大的产业带动作用，欧美日等发达国家和地区都把发展碳化硅半导体技术列入国家战略，投入巨资支持发展。本文将对第三代
2016-11-15 09:26
接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体
2013-01-28 14:58
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子 密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-02-27 14:49
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-04-04 14:46
氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，其具有宽带隙、高热导率等特点，宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合材料。与第一代和
2023-02-12 11:07
