半导体器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（
2019-06-25 07:41
• 《半导体器件物理基础》曾树荣北京大学出版社• 《半导体器件基础》[美]Robert F. P
2010-10-03 14:05
半导体器件物理.pdf
2021-11-05 18:13
接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界前提（如
2013-01-28 14:58
v半导体材料、基本晶体结构与共价键 v能级与能带 v本征载流子浓度 v施主和受主
2010-10-22 16:24
半导体材料
2012-04-18 16:45
半导体器件物理与工艺的主要内容：第一章 能带与载流子浓度第二章 载流子输运现象第三章 p-n结第四章 双极型器件第五章 单极型器
2009-07-22 12:07
内容简介 《现代半导体器件物理》是1981年版《半导体器件物理》的续编。
2011-11-29 10:33
