在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中
2022-04-20 16:10
引言 碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域具有广泛的应用前景。然而，在SiC晶片的制备和加工过程中，表面金属残留成为了一个
2025-02-06 14:14 广州万智光学技术有限公司 企业号
，贴膜后的清洗过程同样至关重要，它直接影响到外延晶片的最终质量和性能。本文将详细介绍碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，包括其重要性、常用
2025-02-07 09:55 广州万智光学技术有限公司 企业号
作为用于高寿命蓝色LD (半导体激光器)、高亮度蓝色LED (发光二极管)、高特性电子器件的GaN单晶晶片，通过hvpe (氢化物气相)生长法等进行生长制造出了变位低的自立型GaN单晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50
小气泡显示出与普通气泡不同的行为。普通气泡在水中急速浮起，在表面破裂消失。但是，如果成为直径小于50μm的气泡，则会慢慢浮起并缩小，最终在水中消失。在水中变小消失（或者看起来消失）的气泡在这里被称为微气泡。微气泡在水中急剧缩小的原因是，由于它是小气泡，内部的气体有效地溶解在周围的水中。气泡的这种缩小意味着“气液界面”的变化，具有重要的工程学意义，即气泡内部压力的上升和表面电荷的浓缩，以及对发挥作用的固体表面的洗涤效果的表现。
2022-04-20 16:08
本文介绍了新型的全化学晶片清洗技术，研究它们是否可以提供更低的水和化学消耗的能力，能否提供每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益以及考虑因素、环境、安全、健康(ESH)效益、技术状态和供应商信息的可用信息。
2022-04-21 12:28
本文中，为了在半导体制造中的平坦化工艺，特别是在形成布线层的工程中实现CMP后的高清洁面，关于湿法清洗所要求的功能和课题，关于适用新一代布线材料时所担心的以降低腐蚀及表面粗糙度为焦点的清洗技术，介绍了至今为止的成果和
2022-04-20 16:11
CMP装置被应用于纳米级晶圆表面平坦化的抛光工艺。抛光颗粒以各种状态粘附到抛光后的晶片表面。必须确实去除可能成为产品缺陷原因的晶圆表面附着物，CMP后的清洗技术极为重要。在本文中，关于半导体制造工序
2022-04-18 16:34
硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理，对上述最终聚合的硅晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗，对上述清洗
2022-04-13 13:35
喷涂工具、或单晶片旋转工具。在批量浸渍工具中，与其他湿法加工工具相比，存在由水槽中晶片之间的颗粒转移引起的交叉污染问题。批量旋转喷涂工具用于在生产线后端(BEOL)进行蚀刻后互连清洗。
2022-04-08 14:48
