宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料，是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。
2023-02-02 15:13
从应用角度对常用半导体元件模型作总结。
2023-05-22 09:40
在新的公司工作半年了时间飞逝，作为一名工程师，也要时刻对自己反省，这样才能够有所提升，在工作中我总结了一下几点，这个可能也是大家常见的一些问题，好记性不如烂笔头，今天就好好的来归纳
2018-11-29 14:44
宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度（Eg>2.3eV）的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质，使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现代电子学和光电子学中，半
2024-07-31 09:09
）为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46
本篇文章是一位 嵌入式前辈 8 年的工作总结 ，文章很长。我读完之后很受启发，分 享给大家。 原文为： https://www.cnblogs.com/scada/p/14259332.html
2023-05-08 10:42
东芯半导体由上海闻起投资有限公司、CHARM TEK DEVELOPMENT HK CO.,LIMITED （简称“C.D 香港”）共同出资组建，其中闻起投资出资750万美元，占比75%，C.D 香港出资250万美元，占比25%。
2020-10-12 11:06
点击上方 “泰克科技” 关注我们！ 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10
