半导体器件芯片焊接失效模式分析与解决探讨 半导体器件芯片焊接失效模式分析
2011-11-08 16:55
本文阐运了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层，才能满足芯片和底座问电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。
2021-02-05 14:05
1，半导体基础2，PN节二极管3，BJT和其他结型器件4，场效应器件
2020-11-27 10:09
半导体器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比
2021-07-12 07:49
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2021-11-01 09:11
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2019-02-26 17:04
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2021-11-01 07:21
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2011-10-23 22:05
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2009-09-30 18:12
