半导体器件芯片焊接失效模式分析与解决探讨 半导体器件芯片焊接失效模式分析
2011-11-08 16:55
本文阐运了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层，才能满足芯片和底座问电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。
2021-02-05 14:05
近日，捷捷微电8英寸功率半导体器件芯片项目和通富微电先进封装项目签约落户苏锡通科技产业园区。
2024-05-20 09:30
本文首先介绍了芯片焊接（粘贴）技巧及机理，其次介绍了失效模式分析，最后介绍了焊接质量的三种检验技巧以及焊接不良原因及对应措施，具体的跟随小编一起来了解一下。
2018-05-31 14:18
近日，捷捷微电8英寸功率半导体器件芯片项目与通富微电先进封装项目在苏锡通科技产业园区正式签约。两大行业巨头再度携手，为园区注入强劲的发展动力。
2024-05-20 09:48
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关
2023-02-07 09:36
