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/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率

2025-01-06 17:05 英飞凌工业半导体 企业号

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2024-11-19 01:01 英飞凌工业半导体 企业号

就相当于电阻。在LED器件的实际应用中，其结构热阻分布涵盖了芯片衬底、衬底与LED支架的粘结层、LED支架、LED器件外挂散热体以及自由空间的

2025-06-04 16:18 金鉴实验室 企业号

，这些问题如果不加以解决，可能影响测试结果的准确性以及器件的长期稳定性。本文将探讨半导体热测试中常见的几类问题，并提出解决思路。1.

2025-01-02 10:16 MDD辰达半导体 企业号

样品活动进行中，扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率

2024-12-23 17:31 英飞凌工业半导体 企业号

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器

2024-11-12 01:04 英飞凌工业半导体 企业号