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型号：IGBT及第三代<b class='flag-s-7'>半导体</b><b class='flag-s-7'>器件</b>全参数<b class='flag-s-7'>测试</b> 品牌：广电计量

服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l  AEC-Q101分立器件认证l&nb

2024-01-29 22:00 广电计量 企业号

型号：C-V特性<b class='flag-s-7'>测试</b><b class='flag-s-7'>系统</b> 品牌：

电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称

2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号

型号：STD2000 品牌：

半导体分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半导体分立

2024-07-30 08:56 陕西天士立科技有限公司 企业号

型号：STD2000 品牌：

半导体功率器件静态参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半导体功率

2024-07-30 09:01 陕西天士立科技有限公司 企业号

型号：HUSTEC-1600A-MT 品牌：

半导体分立器件静态参数测试仪系统产品介绍       产品为桌面放置的台式机结构，由测试

2024-05-20 17:10 hustec 企业号