半导体单晶炉相关学习资料，请各位自行领取。
2020-08-31 15:40
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2013-09-13 15:16
常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映
2013-01-28 14:58
多。 8.平面型，在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要
2015-11-27 18:09
框架等；3、半导体设备展区：半导体封装设备、半导体扩散设备、半导体焊接设备、半导体清洗设备、
2019-12-10 18:20
物质进行激励，从而在节平面区域产生受激发射。（2）Punp式激光器，一般由晶体中掺入受主杂的的以空穴为载流子的锗单晶（P型半导体单晶）或以电子为载流子的锗单晶（N型
2019-04-01 00:36
，导电能力明显改变。2. 本征半导体制作半导体器件时用得最多的半导体材料是硅和锗，它们原子核的最外层都 有4个价电子。将硅或锗材料提纯（去掉杂质）并形成单晶体后，所有原
2017-07-28 10:17
，导电能力明显改变。2. 本征半导体制作半导体器件时用得最多的半导体材料是硅和锗，它们原子核的最外层都 有4个价电子。将硅或锗材料提纯（去掉杂质）并形成单晶体后，所有原
2018-02-11 09:49
各位大侠，小女子在做半导体退火的工艺，不知道哪位做过有n型单晶硅退火？具体参数是什么？任何经验都可以提，请照顾一下新手，谢谢！:handshake
2011-03-01 09:37
，用于各种材料制备的MOCVD、单晶炉及后封装设备等是国内半导体设备的市场热点，值得密切关注。  
2008-08-16 23:05
