发文章
发资料
发帖
提问
发视频
0
搜索热词
型号：IGBT及第三代<b class='flag-s-7'>半导体</b><b class='flag-s-7'>器件</b>全参数<b class='flag-s-7'>测试</b> 品牌：广电计量
服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101
2024-01-29 22:00 广电计量 企业号
型号：STD2000 品牌：
半导体分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半导体
2024-07-30 08:56 陕西天士立科技有限公司 企业号
型号：HUSTEC-DC-2010 品牌：
半导体分立器件测试仪产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构，由
2024-05-13 14:46 hustec 企业号
型号：HUSTEC-1600A-MT 品牌：
半导体分立器件静态参数测试仪系统产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构，由测试
2024-05-20 17:10 hustec 企业号
型号：JESD22-A113 品牌：广电计量
服务介绍随着技术的进步，各类半导体功率器件开始由实验室阶段走向商业应用，尤其以SiC为代表的第三代半导体器件国产化的脚步加快。但车用
2022-05-25 11:07 广电计量 企业号
型号：F-200A-60V 品牌：
一 F-200A-60V 半导体器件测试机专为以下测试需求研制： 二 技术参数
2023-10-12 15:38 深圳艾克思科技有限责任公司 企业号
半导体功率器件静态参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半导体功率器件静态参
2024-07-30 09:01 陕西天士立科技有限公司 企业号
型号：C-V特性<b class='flag-s-7'>测试</b>系统 品牌：
电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称
2024-06-05 11:16 武汉普赛斯仪表有限公司 企业号
型号：ST-CVX 品牌：
一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率
2024-08-01 13:33 陕西天士立科技有限公司 企业号
型号：F-200A-2K5 品牌：
数字型晶体管图示仪半导体电子器件通用测试机一 型号：F-200A-2K5总体描述F-200A-2K5系列半导体器件
2024-04-22 15:39 深圳艾克思科技有限责任公司 企业号
