采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂，用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜，测试其场发射特性，并与未经处理的碳纳米管薄
2008-12-03 12:55
摘要：应用X射线衍射仪的薄膜附件对热丝化学气相沉积金刚石厚膜的成核面和生长面进行分析，结果表明，金刚石厚膜的晶格常数从生长面到形核面沿深度方向是逐渐变小的。化
2009-05-16 01:54
LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高
2010-01-09 10:39
在等离子增强化学气相沉积法PECVD沉积 SiO2和 SiN掩蔽层过程中!分解等离子体中浓度较高的H原子使MG受主钝化!
2018-12-17 08:00
SnO2-Ag-SnO2 结构元件室温下对H2S的敏感特性研究 以SnCl4 和O2 为源物质,采用等离子增强化学气相沉积( PECVD) 和浸渍法掺Ag 技术制备了
2010-02-26 17:04
采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD)制备掺氮金刚石薄膜，研究了不同氮气流量对金刚石膜的生长速率、表面形貌和膜品质的影响。实验发现，在较低的氮气流量下，金刚石膜的生
2009-05-16 01:48
由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差，利用化学气相沉积（CVD）制备金刚石膜时，金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑
2009-05-16 01:51
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术 ，在相对较高气压和较高功率条件下 ，制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料。 材料沉积速
2017-11-08 10:12
电化学传感器化学传感器： 可用以提供被检测体系（液相或气
2008-07-02 13:12
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/
2010-10-26 16:27
