肖特基势垒二极管（SBD）是一种基于金属-半导体接触的二极管，而非传统的PN结。这种特殊的结构赋予了SBD独特的电气特性，使其在高频和高效率的电子电路中具有重要的应用。 Si-SBD（硅
2024-02-23 11:30
肖特基势垒二极管是一种利用称为肖特基势垒的现象的二极管，其中当半导体和金属接合时，电流仅沿一个方向流动。由于其结构不同于一般二极管的P型/N型半导体制成的PN结，因此其电气特性也不同于一般二极管。
2022-03-30 15:05
仁懋电子（MOT）推出的MBR40100W是一款40A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借100V耐压、低正向压降及高频整流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件
2025-11-13 09:30 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MBR30200W是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借200V耐压、低正向压降及高频整流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件
2025-11-13 09:35 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
随着智能手机、电脑等电子设备不断追求轻薄化，芯片中的晶体管尺寸已缩小至纳米级(如3nm、2nm)。但尺寸缩小的同时，一个名为“漏致势垒降低效应(DIBL)”的物理现象逐渐成为制约芯片性能的关键难题。
2025-12-26 15:17
仁懋电子（MOT）推出的MBR10200F是一款10A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借200V耐压、低正向压降及高浪涌电流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。以下从器件特性、电气
2025-11-03 17:01 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的掺杂硅。SB MOSFET 的一
2022-07-29 10:42
一、产品概述MBR10200A是仁懋电子（MOT）推出的10A肖特基势垒整流器，具备低正向压降、高浪涌电流容量等技术特性，适配TO-220、TO-220F、TO-263多种封装形式，聚焦高效整流
2025-10-24 11:27 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT20100D是一款20A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借100V耐压、低正向压降及高浪涌电流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息核心
2025-11-06 16:08 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT30150F（MBR30150F）是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借150V耐压、低正向压降及高频整流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景
2025-11-12 09:48 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
