肖特基势垒二极管（SBD）是一种基于金属-半导体接触的二极管，而非传统的PN结。这种特殊的结构赋予了SBD独特的电气特性，使其在高频和高效率的电子电路中具有重要的应用。 Si-SBD（硅
2024-02-23 11:30
肖特基势垒二极管是一种利用称为肖特基势垒的现象的二极管，其中当半导体和金属接合时，电流仅沿一个方向流动。由于其结构不同于一般二极管的P型/N型半导体制成的PN结，因此其电气特性也不同于一般二极管。
2022-03-30 15:05
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的掺杂硅。SB MOSFET 的一
2022-07-29 10:42
近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10
使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
2025-03-20 11:16 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
红外探测技术在卫星侦察、军事制导、天文观测、医疗检测、现代通信等重要领域发挥着关键作用。
2023-01-12 14:25
高能量密度的锂离子电池主要受限于正极材料的放电比容量和放电电压，富锂锰基镍钴锰三元氧化物（Li1.2Mn0.54Co0.13Ni0.13O2，LMRNCM）正极材料由于具有高能量密度（~1000 Wh kg-1）和低成本的优点而被广泛关注。
2022-08-30 15:55
为了比较，研究人员还制造出没有鳍结构的Ni / Pt肖特基二极管。目前的密度是根据设备面积而不是翅片面积来计算的。两种设备的理想因子为1.08。沟槽SBD的肖特基势垒高度为1.40eV，而常规器件的肖特基势垒高度为1.35eV。增加的有效势垒高度归因于沟槽侧壁上的相邻金属氧化物半导体结。
2018-12-13 16:47
肖特基接触（Schottky contact）是指金属与半导体材料相接触时，在界面处半导体的能带弯曲，形成一个势垒，称为肖特基势垒。这个
2024-10-22 10:37
本文主要介绍了开关二极管的工作原理_开关二极管怎么开关法。高频条件下，二极管的势垒电容表现出来极低的阻抗，并且与二极管并联。当这个势垒电容本身容值达到一定程度时，就会严
2018-04-03 10:54
