小型化。然而，必须首先解决一个问题：SiC MOSFET反向操作期间，体二极管双极性导通会造成导通电阻性能下降。将肖特基势垒
2023-04-11 15:29
二极管1.1二极管材料开启电压导通电压反向饱和电流硅0.50.6-0.8
2021-11-12 08:46
的势垒金属有钛、钼、铂。使用钛的SBD具有VF非常低的特征，但反向漏电流IR却比其他的高。因此，发热多，不适用于环境温度高的条件。后文还将详细说明，其存在容易导致热失控的倾向。就应用而言，因为其VF较小
2018-12-03 14:31
的需求，在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。ROHM公司推出了两款表面贴装肖特基势垒二极管RB051LAM-40和RB081LAM-20，两者二极管的反向电压都为20V，正向
2019-04-17 23:45
硅二极管的死区电压和导通电压分别为多少？反向饱和电流为多少数量级？
2023-03-31 11:45
和RBR3MM60B中功率肖特基势垒二极管的特点：•高可靠性•小尺寸（SOD-123FL）•具有极低的正向压降VF，可降低电路中所需电压的条件，有利于电路设计，同时可降低导通时的功率损耗。RBR1MM60A
2019-07-15 04:20
肖特基势垒二极管。五者的VRM（峰值反向电压）均为35V，反向电压（VR）均为30V。RB078BM30S,RB085B
2019-03-21 06:20
二极管最大特性是具有单向导通性，因此被广泛应用于整流电路、开关电路、保护电路等场合。所谓单向导电性，是指在二极管PN结两端接入反向电压时，二极管截止；在PN结两端接一定值的正向电压时，二极管才能
2022-03-15 15:41
PN结二极管主要有两种电流，一个是少子扩散电流，另一个是势垒区产生复合电流，大部分情况下以少子扩散电流为主。少子扩散电流击穿前电流几乎不随反向电压变化，具体数学推导很简
2020-12-04 15:26
比如3205的NMOS的Vgs门槛电压是min 2v-----max4v的范围。我不太理解，究竟是最小工作电压是2V，满负荷工作电压是4V呢，还是说因为工艺问题，某些管子的导
2019-05-28 01:46
