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(典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动
2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号
描述 EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断
2023-09-17 12:57 腾震粤电子 企业号
。每个H桥的功率输出模块由N沟道功率MOSFET组成,用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该模块还
2024-04-07 21:44 深圳上大科技 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器, 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压(UVLO)保护功能,防止
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
JL3633 是一款多通道电平转换芯片,内部集成了六通道独立的电平转换和驱动电路,能将 3~5V 输入电平转换为 10~18V 电平输出(由电源决定),同时具有功率管过流保护(OCP)功能和 LDO
2023-12-01 16:17 腾震粤电子 企业号
的MOSFET和IGBT栅极驱动器,广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。&
2022-07-30 16:06 深圳市骊微电子科技 企业号
输出模块由N沟道功率MOSFET组成,用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该器件利用故障输出引脚实现内部关断功能,提供过流保护、短路保护、欠压锁定
2023-03-16 20:30 深圳上大科技 企业号
AS7202是一种次级侧同步整流器回程转换器。它集成了超低导通状态电阻45V功率MOSFET,即可替代肖特基二极管的高效率。AS7202支持高侧和低侧应用。AS7202内置高压电源的VDD电容器
2023-10-17 17:53 腾震粤电子 企业号
MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低
2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号