和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的
2021-01-27 07:59
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
碳化硅-MOSFET的电流源驱动 对于1200V、带VSD的100A分立IGBT，需要22Ω的栅极电阻，以将最大dv
2023-02-21 16:36
！它在高侧栅极驱动器源连接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 电阻，我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什
2023-04-19 06:36
碳化硅 （SiC） MOSFET 成为 MOSFET 市场的可见部分，需要能够提供负电压的特殊栅极驱动器碳化硅 （SiC
2023-02-27 09:52
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级
2021-01-22 06:45
