开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在
2019-07-03 16:26
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认
2024-11-11 17:21
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
驱动设计时需要选取合适的驱动电流，太小驱动能力不足，增加功率器件损耗，太
2022-05-01 09:09
和发射极。为了工作MOSFET/IGBT，通常必须向栅极施加相对于器件源极/发射极的电压。专用驱动器用于向功率器件的栅极
2023-01-30 17:17
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试（EOS测试），设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电容器和电阻器。对于轴向型
2022-12-22 15:59
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅
2024-10-29 10:45
对于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件而言，优化的栅极驱动尤为重要。此类转换器的快速开关需仔细考量寄生参数、过冲/欠冲现象以及功率损耗最小化问
2025-05-08 11:08 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
： 栅极驱动IC是一种集成电路，用于控制功率MOSFET或IGBT的开关行为。它负责提供适当的电压和电流，以确保
2024-09-18 09:45
