）中，对G极恒流驱动充电的恒流源IG由测量仪器内部自带的恒流源提供，而ID由分立元件构成恒流源，其工作原理非常简单：就是利用功率MOSFET的工作于线性区的放大特性，调节G极的电压就可以调节
2017-01-13 15:14
的电压才慢慢增加，进入到可变电阻区，最后，VGS稳定在最大的栅极驱动电压，Miller平台区的电压和系统最大电流的关系必须满足功率
2016-08-15 14:31
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC
2023-06-16 06:04
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的
2016-10-10 10:58
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率M
2017-03-06 15:19
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉
2018-10-16 17:15
MOSFET内部的栅极电阻，RG=RUp+RG1+RG2为G极串联的总驱动电阻。图1：功率MOSFET
2017-02-24 15:05
