型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：
2016-08-15 14:31
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04
`功率MOSFET入门`
2012-08-15 13:15
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部
2017-02-24 15:05
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极
2017-03-06 15:19
功率MOSFET的高效热管理
2019-02-03 21:16
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09
记得作者2002年做研发的时候，在热插拨的应用中就开始关注到这个问题，那时候很难找到相关的资料，最后在功率MOSFET的数据表中根据相关的图表找到导通电阻RDS(ON)的这个违背常理的特性，然后
2016-09-26 15:28
`Diodes公司继续扩展其功率MOSFET产品组合，采用新型N和P通道器件，击穿电压高达450V，并提供多种封装选择。 Diodes Inc. MOSFET产品系列非常适合各种应用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07
