（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
。MODBUS TCP从站昆仑通态触摸屏。1、配置方法：首先需要打开Studio5000配置软件，新建项目并添加站点。2、添加AB的PLC1769-L32E；3、提前使
2023-09-04 15:24 北京开疆智能技术有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
目前大部分工业产品的应用都离不开电源，比如工业自动化控制、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表等工业领域电源。因此，工业电源需要SiC功率器件来满足不同工业应用领域电源的安全性和可靠性
2023-06-17 10:59 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
电阻/电容的外观检测案例 视觉检测系统 电阻/电容的外观检测案例分析：检测内容:是否有本体缺陷、刮伤、崩边，是否有破损、脏污、异色。检测过程说明：1、通过图像摄取
2023-07-04 11:51 苏州视立得智能科技有限公司 企业号
