MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率
2019-10-31 17:03
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态
2019-11-17 08:00
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态
2019-11-17 08:00
沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET
2009-12-13 20:02
的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要
2021-09-05 07:00
和动态均流问题；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小；器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通
2021-08-29 18:34
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态
2009-11-19 14:53
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小有关，而门极的沟道
2023-02-17 18:11
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态
2023-10-18 09:11
