和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的
2023-06-16 06:04
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为
2019-11-17 08:00
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密
2019-07-04 06:22
的MOSFET以满足特定应用的性能需求对客户是最重要的。每个功率MOSFET数据表包含相同的关键部分和器件参数，以便为客
2018-10-18 09:13
我们正在研究人形机器人，想了解在关节驱动、电源管理、热控制等子系统中使用功率器件（如MOSFET、IGBT、IPM）。目前遇到以下问题： 功率器件分布不明确 ：不清楚哪些关
2025-03-12 14:05
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为
2019-11-17 08:00
毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件。六、包含寄生参数的功率MOSFET等效电路1）等效电路：2）说明：实际的
2021-08-29 18:34
的差异相互扩散，也会在PN结的两侧产生电荷存储效应，这些因素作用在一起，在任何半导体功率器件内部，就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，
2016-12-23 14:34
最后，我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合
2018-09-05 09:59
