`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的
2023-06-16 06:04
功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10
功率Mosfet参数介绍 第一部分 最大额定参数最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)
2009-11-21 11:39
在进行功率MOSFET电路设计时需要注意的重要参数是电流、电压、功耗和热。功耗和热通常相互关联。
2022-07-26 17:18
电子发烧友网站提供《电机控制应用程序的关键MOSFET参数.pdf》资料免费下载
2023-07-24 16:38
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为
2019-11-17 08:00
众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道
2023-10-18 09:11
了解功率 MOSFET 数据表参数-AN11158_ZH
2023-02-17 18:49
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密
2019-07-04 06:22
