使用电机试验台的测试结果，按照油耗测试方法WTLC进行了模拟行驶仿真，确认了第4代SiC MOSFET对电耗的改善效果。
2024-04-17 14:06
第6代光纤通道技术是下一代光纤通道技术，光纤通道行业协会已经制订了第6
2014-02-25 11:15
采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800A的额定电流，是传统1200V IGBT
2024-11-14 14:59
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选
2024-10-30 15:24
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极
2023-12-03 09:30
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结
2025-05-22 13:58
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，
2022-09-13 14:38
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的半导体器件，在电子领域尤其是电源管理
2024-05-31 17:51
