损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应
2023-12-03 09:30
、电机驱动等领域中扮演着至关重要的角色。与双极型功率器件相比，功率MOSFET凭借其独特的特性，如电压控制、高输入阻抗、快速开关速度等，成为了现代电子设备中不可或缺的元
2024-05-31 17:51
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选
2024-10-30 15:24
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。
2020-04-06 11:50
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
MOSFET是电压控制型器件，三极管是电流控制型器件，这里说的优缺点当然是要跟功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的
2019-10-31 17:03
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13
某些电源架构要求电源排序器（或系统管理器）控制下游功率MOSFET，以允许功率流入分支电路。如果输入电源电压至少比电源输出电压高5V，则可以在电源输出端放置一个功率
2023-02-09 12:07
