前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估
2017-02-24 15:05
功率MOSFET的感性负载关断过程和开通过程一样，有4个阶段，但是时间常数不一样。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为
2017-03-06 15:19
IPS5451是美国国家半导体公司生产的一款高压侧功率MOSFET开关，它为单列5脚封装，工作电压50V，电流35A，Rds(on) 25m欧姆。
2021-04-23 07:32
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的
2016-10-10 10:58
情况下，系统必须独立控制哪些负载开启，何时开启，以什么速度开启。利用分立MOSFET电路或集成负载开关便能完成这种功率切换，如图1所示。图1：从电源切换到多个负载分立MOSFE
2022-11-17 08:05
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率
2021-01-30 13:20
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04
功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件，它不但具有自关断能力，而且具有驱动功率小，关断速度快等优点，是目前开关电源中常用的
2021-11-12 08:50
`功率MOSFET入门`
2012-08-15 13:15
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
