超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n
2022-09-13 14:38
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选
2024-10-30 15:24
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极
2023-12-03 09:30
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的半导体器件，在电子领域尤其是电源管理
2024-05-31 17:51
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几
2024-02-23 09:38
