MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09
功率开关管功耗的计算1) 开关管导通时的功耗测试：开通时间Ton(uS) 4.955 (时间测量以电压波形为基准)开通时电流的最小值Ion-min(A) 0.222开通
2011-08-09 11:44
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据
2016-08-15 14:31
功率开关管功耗计算方法
2019-04-12 12:27
功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET开通的过程中，由于VDS具有一定的电压，那么Coss中储能
2017-03-28 11:17
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率
2021-01-30 13:20
`功率MOSFET入门`
2012-08-15 13:15
1 横向双扩散型场效应晶体管的结构功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三个管脚，分别为
2016-10-10 10:58
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39
