IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型
2023-02-22 15:34
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些
2025-05-28 06:51
引言IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动
2021-09-09 09:02
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。 IGBT 集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动
2011-09-14 10:51
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。
2019-11-17 08:00
状况。和硅双极型晶体管或GaAs MOSFET相比较，硅基LDMOSFET有失真小、线性度好、成本低的优点，成为目前RF 功率 MOSFET的主流技术。手机基站中
2019-07-08 08:28
采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以
2019-04-09 04:58
功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件，它不但具有自关断能力，而且具有驱动功率小，关断速度快等优点，是目前开关电源中常用的开关器件。采用
2021-11-12 08:50
型功率晶体管和功率MOSFET 的优点于一体的相对优异的综合电性能指标， 在上述电源变换装置中被广泛使用。
2018-06-08 08:05
所需的功率。在正常工作期间，耗尽型 MOSFET 由于其低静态电流而消耗的功率最小。这种方法的主要优点是理论上启动序列后的功耗为零，从而提高了整体效率。此外，它在PCB
2023-02-21 15:46
