本文阐述了一种电机用功率 VDMOS 器件的可靠性试验方案和试验过程。对不同驱动电压下VDMOS器件所能承受的最人供电电压进行了测试，分别在轻、重负载下对器件进行不同驱
2011-07-22 11:32
苏州纳米所可靠性与失效分析中心秉承加工平台公共服务方面的特性，在对外提供支撑和服务过程中多方发现用户的共性需求，以检测能力与市场需求完美契合为目标不断完善。目前本中心在电子材料、元器件、封装、SMT
2018-06-04 16:13
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性 0 引言 垂直导电双扩散场（VDMOS）效应晶体管是新一代集成化半导体电力器件的代表［1］。与功
2009-11-07 10:39
電子電路實驗二 Text Book : 電子電路實驗(
2009-08-20 18:39
功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣，因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果，着
2011-12-16 15:28
大功率白光LED的可靠性研究及失效机理分析
2017-02-07 21:04
芯片IC可靠性测试、静电测试、失效分析芯片可靠性验证 ( RA)芯片级预处理(PC) & MSL试验 、J-STD-020 & JESD22-A113
2020-04-26 17:03
微电子器件可靠性失效分析程序
2024-11-01 11:08
E113燃料電池暨電子熱傳實驗室 UV-500 加高型抽屜光源機
2009-10-28 08:56
在因素而失效。电容在各种应力作用下其材料发生物理和化学变化，导致电参数变劣而最后失效，可分为电应力（电流、电压）和环境应力（湿度、温度、气压、振动和冲击等）两种，下面就电容的失效和
2019-05-05 10:40
